Micro wave
특징
- 플라즈마 프로세스시스템용 장치에 대응
- 고압전원부, 발진부의 경량화
- Low drift magnetron 사용
- RS485를 사용하여 장치와 마이크로파 전원을 제어(표준탑재)
- 그 밖의 디지털 통신대응 가능
- 고압전원부, 발진부의 배기열 영향 없는 광범위한 설치 범위
- Isolator 내장 (발진부 + Isolator 일체형)
사양
| Receiving Power | 3Φ AC200V±10％ 50/60Hz 20A 이하 |
|---|---|
| 최대출력 | 3000W |
| 출력 가변범위 | 300W～3000W ※note Magnetron 특성에 따라, 600W이하 출력에서는 출력직선 정밀도는 보증하지 않습니다. |
| 출력 직선 정밀도 | 설정 전력의 ±3％ 이내 |
| 출력 안정도 | 전원전압의 ±10％의 변동에 대하여, ±1％이내 |
| 출력 Ripple | 5%p-p 이하 |
| 냉각방식 | 수랭 |
| 사이즈 | W480xH221.5xD631（mm） |
| 중량 | 약 30kg |
Micro wave autotuner
사양
| 주파수 범위 | 2450MHz±30MHz |
|---|---|
| 허용 통과전력 | 3kW 연속파 （Power ripple 10％이하） |
| 정합 정밀도 | 1％이내 （전력비）* |
| 정합 속도 | 3초 이내* |
| 냉각방식 | 수랭 |
*부하측으로서 더미로드를 사용한 당사의 시험설비에서의 실험결과.